通過十幾年的發展，金剛石膜的制備技術已經出現了熱絲CVD、熱陰極CVD、直流電弧等離子體噴射CVD等技術。在大面積高熱導率級別金剛石復合膜的制備方面，這些技術有能力制備800～1900W/mK的各種熱導率級別的金剛石復合熱沉片，但熱絲CVD和熱陰極CVD在熱沉片制備上有點過時，僅能制備1500W/mK以下的熱沉片，而更高級別的熱沉片制備需采用直流電弧等離子體噴射CVD等新型技術。目前制約CVD法制備的金剛石復合膜在電子封裝上的應用，主要的技術問題是金剛石膜的金屬化、與半導體材料的兼容性以及加工成本等方面。采用一種新的化學氣相沉積方法來制備Cu/類金剛石薄膜，特點是利用一個混合系統提高脈沖無線電頻率來增強化學沉積或濺射能力，獲得的Cu/類金剛石薄膜具有良好的界面結合，并研究了壓痕載荷5～20mN下，Cu滲透深度對Cu/類金剛石復合薄膜材料的硬度和彈性模量（E）的影響。
　　金剛石顆粒增強銅基散熱材料的研究進展等利用CVD法制備金剛石纖維銅基復合材料，與其他銅基復合材料相比，金剛石纖維銅基復合材料是一種潛在的高剛度的熱導體材料，具有低密度和高剛度。物理氣相沉積金剛石和銅制成的復合材料，具有熱導率高，機械強度高，但由于Cu與金剛石膜的物性差異大，在通常的沉積條件下，容易在熱應力和附著力不平衡的狀態下，金剛石薄膜容易從銅基片上脫離。而采用非平衡磁控濺射物理氣相沉積，通過制備中間過渡層（如Ti、Cr、Mo、Ti/TiC等），在銅基體上成功的制備了金剛石功能膜，該技術能改善銅基體與金剛石膜的結合力，強化了銅基體的機械性能，并且不影響銅基體的散熱效果。
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