美國IBM公司日前宣布，其在使用0.13μm工藝CMOS技術制造的LSI中采用由美國The Dow Chemi cal Co.公司開發的低介電常數的絕緣材料，即low-k“SiLK（Dow Chemical的注冊商標）”。據悉，近各半導體制造商為導入low-k材料，材料的開發變得相當活躍。
　　low-k材料作為LSI絕緣材料導入后可以減少布線之間的寄生電容。其結果會由于減少了布線的延遲時間，而可以制造出工作頻率更高的LSI。過去30年多來，一直用作絕緣材料的SiO2的介電常數為：SiO2結晶的石英為4.2，用等離子CVD方法制造的SiO2材料為3.8。相比之下“SiLK”的介電常數只有2.65。
　　除了“SiLK”以外，各廠家還在尋找其他材料用作low-k材料。各半導體廠商對使用何種材料其意見也不一致。這是因為無論哪種材料都不易加工使用，用其作為絕緣材料時需要相當高的加工技術。此次使用的“SiLK”為有機高分子材料，耐熱性低，所以有專家指出其在制造過程中容易出現變性問題。據了解，IBM已通過改善制造流程克服了上述缺點，他們在成膜工藝中采用涂抹法（Spin On法）。有消息說，兩家公司今后研究將共同開發介電常數低于2.0的低low-k材料。<<環氧樹脂在線>>